场效应管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。

IR场效应管IRFP340PBF优势库存参数资料 
封装：TO3P
品牌：IR
基本参数：
品牌IR美国国际整流器公司
型号IRG4PC50U
种类绝缘栅(MOSFET)
沟道类型N沟道
导电方式增强型
用途DC/直流
封装外形CER-DIP/陶瓷直插
材料IGBT绝缘栅比极
开启电压10（V）
夹断电压100（V）
跨导10（μS）
极间电容1100（pF）
低频噪声系数10（dB）
**漏极电流100（mA）
**耗散功率100（mW）

IR场效应管原装现货参数选型
IRFU430A 500 1700 5 110
IRF720 400 1800 3.3 50
IRFPE40 800 2000 5.4 150
IRFPG50 1000 2000 6.1 190
IRFBC30 600 2200 3.6 74
IRF820 500 3000 2.5 50
IRF9610 -200 3000 -1.8 20
IRFBE30 800 3000 4.1 125
IRFR420 500 3000 2.4 42
IRF710 400 3600 2 36
IRFBG30 1000 5000 3.1 125
IRFBG20 1000 11000 1.4 54
IRG4PC30F 600 31 100
IRG4PC40S 600 60 160
IRFG4PC40W 600 40 160
IRG4BC20UD 600 13 60
IRG4B30KD 600 28 100
IRG4BC40U 600 40 160
IRG4BC40W 600 40 160
IRG4PF50W 900 51 200