IR场效应管IRGP50B60PD优势库存参数资料_供应

IR场效应管IRGP50B60PD优势库存参数资料

发布时间:2016-07-21 16:17:02 产品编号:GY-5-91478551 分享

价格:未填
品牌:IR
发货:3天内
信息标签:IR场效应管IRGP50B60PD优势库存参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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场效应管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是**的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的**简单的定义是结到管壳的热阻抗。

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类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：CoolMOS?

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（**）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 30A, 10V
IRF5210S -100 60 -40 200
IRF5305 -55 60 -30 110
IRFR5305S -55 60 -31 110
IRLZ24N 55 60 18 45
IRFP264N 250 60 44 380
IRFR5305 -55 65 -31 110
IRFZ24N 55 70 17 45
IRFB4212 100 72.5 18 60
IRF250N 200 75 30 214
IRFP264 250 75 38 280
IRFR024N 55 75 16 38
IRF3315 150 82 21 94
IRFB31N20D 200 82 31 200
IRF530N 100 90 17 79
IRFZ34N -55 100 -17 56
IRF9540N -100 117 -23 140
IRFO9140N -100 117 -21 120
IRFP254N 250 125 23 220
IRFPS37N50A 500 130 36 446
IRF640N 200 150 18 150
IRF640NS 200 150 18 150
IRF530 100 160 14 88

漏极至源极电压(Vdss)：650V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A

Id 时的 Vgs(th)（**）：3.9V @ 2.7mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：320nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6800pF @ 25V

功率 - **：415W

供应商设备封装：TO-247

IR场效应管IRGP50B60PD参数图

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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
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