IR场效应管IRG4PC60U优势库存参数资料_供应

IR场效应管IRG4PC60U优势库存参数资料

发布时间:2016-07-21 16:13:15 产品编号:GY-5-91477960 分享

价格:未填
品牌:IR
发货:3天内
信息标签:IR场效应管IRG4PC60U优势库存参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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场效应管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是**的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的**简单的定义是结到管壳的热阻抗。
其发热情况有：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的**忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于**电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

IR场效应管RG4PC60U参数资料

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：CoolMOS?

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（**）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 30A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：650V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A

Id 时的 Vgs(th)（**）：3.9V @ 2.7mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：320nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6800pF @ 25V

功率 - **：415W

供应商设备封装：TO-247

IRFR9024N -55 0.175 -11 38
IRFB3207 75 3.6 180 330
IRF1404 40 4 162 200
IRFP2907 75 4.5 177 330
IRF1405 55 5.3 160 310
IRF1405S 55 5.3 131 200
IRFB4310 100 5.6 140 330
IRL2203N 30 7 116 180
IRF1407 75 7.8 130 330
IRF3205 55 8 98 150
IRFB4410 100 8 96 250
IRFP064N 55 8 98 150
IRL3803 30 9 120 150
IRL3705N 55 10 89 170
IRF1010E 60 12 81 170
IRFZ48 60 12 72 150
IRFP054N 55 12 72 130
IRL3103 30 12 64 94
IRF2807 75 13 82 200
IRF2807S 75 13 82 230
IRFZ46Z 55 13.6 51 82
IRFZ44Z 55 13.9 51 90
IRFZ48N 55 14 64 94

IR场效应管IRG4PC60U参数图

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
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