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IR场效应管IRG4PF50WDPBF优势库存参数资料
发布时间:2016-07-21 16:08:42 产品编号:GY-5-91477165 分享
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双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压Mos管。
IR场效应管IRG4PF50WDPBF优势库存参数资料
IRG4PC50UDPBF
IRG4PF50WDPBF
IRG4PC60U
IRG4PF50WPBF
IRGP50B60PD
IRG4 PC50U
IRG P4063DPBF
IRFP340PBF
IRGP30B120KD
IRG4PF50WPBF
IRFB4710PBF
IRGP4062DPBF
IRF2805PBF
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：CoolMOS?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（**）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A
Id 时的 Vgs(th)（**）：3.9V @ 2.7mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：320nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6800pF @ 25V
功率 - **：415W
供应商设备封装：TO-247
发热分析做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
IR场效应管IRG4PF50WDPBF参数图
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