英飞凌mos管IPW65R070C6优势库存现货参数资料_供应

英飞凌mos管IPW65R070C6优势库存现货参数资料

发布时间:2016-07-21 15:57:42 产品编号:GY-5-91475274 分享

价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌mos管IPW65R070C6优势库存现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

英飞凌的trenchstop™IGBT技术导致以及装置的动态性能显著提高静态，由于结合了trenchstop细胞场终止概念。具有软恢复二极管发射控制IGBT的导通损耗进一步减少。达到**高的效率，由于开关和传导损失之间的**折衷。

英飞凌mos管IPW65R070C6优势库存现货参数资料

类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：CoolMOS?

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（**）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 30A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：650V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A

Id 时的 Vgs(th)（**）：3.9V @ 2.7mA

闸电荷(Qg) @ Vgs：320nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6800pF @ 25V

功率 - **：415W

供应商设备封装：TO-247

特征概要：
低导通态电阻
（关于* a）
非常低的能量存储在输出电容（E OSS）@ 400V
低门电荷（Q G）
fieldproven CoolMOS™质量
结合™技术已由英飞凌自1998
IPP060N06N 45A 60V 6.0 mOhm TO-220
IPB084N06L3 G 50A 60V 8.4 mOhm TO-263
IPB093N06N3 G 50A 60V 9.3 mOhm TO-263
IPD079N06L3 G 50A 60V 7.9 mOhm TO-252
IPD088N06N3 G 50A 60V 8.8 mOhm TO-252
IPD127N06L G 50A 60V 12.7 mOhm TO-252
IPD144N06N G 50A 60V 14.4 mOhm TO-252
IPP084N06L3 G 50A 60V 8.4 mOhm TO-220
IPP093N06N3 G 50A 60V 9.3 mOhm TO-220
IPA057N06N3 G 60A 60V 5.7 mOhm TO-220F
IPB120N06N G 75A 60V 12.0 mOhm TO-263
IPP120N06N G 75A 60V 12.0 mOhm TO-220
IPB052N06L3 G 80A 60V 4.9 mOhm TO-263

英飞凌mos管IPW65R070C6参数图

MOSFET设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：
1． RDSON的值。**的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET其成本将高于较高电阻器件。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
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手机:15712055037
地区:广东-深圳市
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QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/

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