英飞凌的**二极管,用1.35V温度稳定的正向电压(V F),确保**的导通损耗和软恢复的手段使电磁干扰降到**。该器件非常适合于功率因数校正(PFC)的拓扑结构,通常在电器如空调、洗衣机大家庭。
IDW30E65D1特征概要:
1.35V温度稳定的正向电压(Vf)
**高的软性因素,**终的柔软性和低电磁干扰滤波
我**RRM提供升压开关的导通损耗低
应用程序之间的切换和40kHz 18kHz
目标应用程序:
不间断电源
空调系统
家电
焊接
交直流
英飞凌mos管IDW30E65D1优势库存现货参数资料
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:CoolMOS?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(**)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:47A
Id 时的 Vgs(th)(**):3.9V @ 2.7mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:320nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6800pF @ 25V
功率 - **:415W
供应商设备封装:TO-247
MOS管选型
相关的重要参数:
在MOS管选择方面,系统要求相关的几个重要参数是:
1. 负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力;
2. 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制;
3. 开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;
4. MOSFET**允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。