电子元器件及组件
英飞凌mos管IDW30E65D1优势库存现货参数资料
发布时间:2016-07-21 15:54:01 产品编号:GY-5-91474614  分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌mos管IDW30E65D1优势库存现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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英飞凌的**二极管,用1.35V温度稳定的正向电压(V F),确保**的导通损耗和软恢复的手段使电磁干扰降到**。该器件非常适合于功率因数校正(PFC)的拓扑结构,通常在电器如空调、洗衣机大家庭。

IDW30E65D1特征概要:
1.35V温度稳定的正向电压(Vf)
**高的软性因素,**终的柔软性和低电磁干扰滤波
我**RRM提供升压开关的导通损耗低
应用程序之间的切换和40kHz 18kHz

目标应用程序:
不间断电源
空调系统
家电
焊接
交直流

英飞凌mos管IDW30E65D1优势库存现货参数资料
 类别:分离式半导体产品 
        家庭:MOSFET,GaNFET - 单 
        系列:CoolMOS? 
        FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 
        FET 特点:标准型 
        开态Rds(**)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 30A, 10V 
        漏极至源极电压(Vdss):650V 
        电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:47A 
        Id 时的 Vgs(th)(**):3.9V @ 2.7mA 
        闸电荷(Qg) @ Vgs:320nC @ 10V 
        在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6800pF @ 25V 
        功率 - **:415W 
        供应商设备封装:TO-247 
MOS管选型
相关的重要参数:
在MOS管选择方面,系统要求相关的几个重要参数是:
1.  负载电流IL。它直接决定于MOSFET的输出能力;
2.  输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比能力限制;
3.  开关频率FS.。这个参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;
4.  MOSFET**允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。

英飞凌mos管IDW30E65D1参数图
产品参数图

联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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