英飞凌mos管SKW30N60深圳优势库存现货参数资料
发布时间:2016-07-21 15:45:52 产品编号:GY-5-91473304 分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌mos管SKW30N60深圳优势库存现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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英飞凌mos管SKW30N60英飞凌的第二代市场**的高压CoolMOS™MOSFET集成的**体二极管。的cfd2设备与提高能源效率的600V CFD的继任者。较软的换向行为,因此更好的电磁干扰行为使该产品具有明显的优势,与竞争对手的零件相比。
英飞凌mos管SKW30N60深圳优势库存现货参数资料
英飞凌提供了一个巨大的IGBT软开关谐振组合寻址和硬开关拓扑。
特征概要:
与上一代相比,30%的较低的E
短路耐受时间10秒
以上为操作设计
高强度、温度稳定的行为
符合RoHS无铅镀铅;
符合JEDEC为目标的应用程序
英飞凌mos管SKW30N60参数:
FET类型
MOSFET N通道,金属氧化物
FET功能
标准
漏源极电压(Vdss)
650V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)
68.5A(Tc)
不同 Id,Vgs时的 Rds On(大值)
41毫欧@ 33.1A,10V
不同Id时的Vgs(th)(大值)
4.5V @ 3.3mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)
300nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)
8400pF @ 100V
功率-大值
500W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
IPD800N06N G 英飞凌MOS管16A 60V 80.0 mOhm TO-252
IPD640N06L G 18A 60V 64.0 mOhm TO-252
IPB260N06N3 G 27A 60V 26.0 mOhm TO-263
IPD400N06N G 27A 60V 40.0 mOhm TO-252
IPP260N06N3 G 27A 60V 26.0 mOhm TO-220
IPD250N06N3 G 28A 60V 25.0 mOhm TO-252
IPB230N06L3 G 30A 60V 23.0 mOhm TO-263
IPD220N06L3 G 30A 60V 22.0 mOhm TO-252
IPD230N06N G 30A 60V 23.0 mOhm TO-252
IPP230N06L3 G 30A 60V 23.0 mOhm TO-220
IPA093N06N3 G 43A 60V 9.3 mOhm TO-220F
IPB057N06N 45A 60V 5.7 mOhm TO-263
IPD053N06N 45A 60V 5.3 mOhm TO-252
英飞凌mos管SKW30N60参数图
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