英飞凌mos管SPW47N60C3优势库存现货参数资料
发布时间:2016-07-21 15:29:29 产品编号:GY-5-91470573 分享
价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌mos管SPW47N60C3优势库存现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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英飞凌的trenchstop™IGBT技术导致以及装置的动态性能显著提高静态,由于结合了trenchstop细胞场终止概念。具有软恢复二极管发射控制IGBT的导通损耗进一步减少。达到**高的效率,由于开关和传导损失之间的**折衷。
英飞凌mos管SPW47N60C3优势库存现货参数资料
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:CoolMOS?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(**)@ Id, Vgs @ 25° C:70 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:47A
Id 时的 Vgs(th)(**):3.9V @ 2.7mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:320nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6800pF @ 25V
功率 - **:415W
供应商设备封装:TO-247
特征概要:
低导通态电阻
(关于* a)
非常低的能量存储在输出电容(E OSS)@ 400V
低门电荷(Q G)
fieldproven CoolMOS™质量
结合™技术已由英飞凌自1998
效益:
高效率和功率密度
卓越的成本/性能
高可靠性
易用性
目标应用程序:
服务器
电信
消费者
PC电源
适配器
英飞凌mos管SPW47N60C3参数图
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