英飞凌的trenchstop™IGBT技术导致以及装置的动态性能显著提高静态，由于结合了trenchstop细胞场终止概念。具有软恢复二极管发射控制IGBT的导通损耗进一步减少。达到**高的效率，由于开关和传导损失之间的**折衷。
 

特征概要：

**V行政长官（坐）下降为较低的传导损失

低开关损耗

易并行开关能力由于正温度系数在V行政长官（坐）

非常软，**恢复反平行发射极控制二极管

高强度、温度稳定的行为

低EMI辐射

低栅极电荷

非常紧参数分布
 

效益：

**高效率的低传导和开关损耗

对设计的灵活性在600V，1200V的综合投资组合

装置可靠性高
 

目标应用程序：

不间断电源

太阳能逆变器

电机控制

主要的家用电器

焊接

其他硬开关应用