英飞凌mos管IPW65R041CFD优势库存现货参数资料_供应

英飞凌mos管IPW65R041CFD优势库存现货参数资料

发布时间:2016-07-21 15:08:24 产品编号:GY-5-91467099 分享

价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌mos管IPW65R041CFD优势库存现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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650V CoolMOS™cfd2是英飞凌的第二代市场**的高压CoolMOS™MOSFET集成的**体二极管。的cfd2设备与提高能源效率的600V CFD的继任者。较软的换向行为，因此更好的电磁干扰行为使该产品具有明显的优势，与竞争对手的零件相比。

特征概要：

650V技术集成的**体二极管

硬换向过程中有限的电压过冲

大Q G相比减少600V CFD技术

严格的R DS（上）**的R DS（上）典型的窗口

易设计

600V CFD技术相比，价格低

效益：

低开关损耗由于重复换体二极管低Q RR

自我限制di/dt和dv/dt

低Q OSS

减少打开和打开延迟时间

CoolMOS™质量优秀

目标应用程序：

电信

服务器

太阳能

HID灯电子镇流器

LED照明

IPW65R041CFD参数：
FET类型
MOSFET N通道，金属氧化物
FET功能
标准
漏源极电压（Vdss）
650V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）
68.5A（Tc）
不同 Id，Vgs时的 Rds On（大值）
41毫欧@ 33.1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（大值）
4.5V @ 3.3mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）
300nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）
8400pF @ 100V
功率-大值
500W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3

英飞凌mos管IPW65R041CFD参数图

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
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QQ:1057160972
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