产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	赛米控SKM200GAR101D
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	1.7 V
在25 C的连续集电极电流：	600 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	2100 W
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	EconoDUAL-3
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
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工厂包装数量：	12

)igbtvce电压监测法
这是比较常用的方法。利用集电极电流ic升高时vge或vce也会升高的这一现象，当vge或vce超过设定允许值时，输出信号去封锁igbt的脉冲。由于vge在发生故障时变化较小，难以掌握，一般较少使用。而vce的变化较大，因此实际中一般常常采用vce监测法来对igbt进行保护。这种方法的优点是检测灵敏，动作迅速，有效地避免了并联回路igbt大面积损坏。但这种方法的缺点也比较明显:需要配线，将每个igbt的集电极与发射极之间的电压信号引入脉冲驱动板。另外由于igbt关断时，集电极与发射极之间的电压比较高，需要增加脉冲放大板相应的绝缘与电位隔离措施。