赛米控IGBT模块SK150DA100D深圳现货参数资料_供应

赛米控IGBT模块SK150DA100D深圳现货参数资料

发布时间:2016-07-21 14:46:02 产品编号:GY-5-91463635 分享

价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SK150DA100D深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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赛米控IGBT模块SK150DA100D逆导型IGBT的正面结构与传统IGBT基本相同，不同之处在于其背面结构。在制造过程中逆导型IGBT要比传统IGBT多用一块到两块掩膜板，而且背面的版图设计与正面差别较大。一方面背面版图的图形尺寸很大，另一方面图形是非对称、非重复性的，而仿真不可能在对整个器件进行仿真，也就使得对逆导型IGBT一些参数的仿真是近似性的。然而背面版图设计的优劣直接决定了器件和整体性能，尤其是对于回跳现象的消除和二极管的特性的优化至关重要。这就使逆导型IGBT背面的版图布局成为一项关键技术。

主要特点是：
1）驱动IC结合推挽电路能够完成对后级逆变器的可靠驱动，但驱动电路的整体设计比较复杂。
2）PC系列驱动芯片隔离电压为4000V，电气隔离安全可靠。
3）具有过流、短路保护功能。
4）完成对三相逆变器的驱动，至少需要设计4路隔离电源，因此对驱动电路的供电电源也有一定要求。
5）驱动电路造价较低。

赛米控IGBT模块SKM100GAR121D深圳现货参数资料

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	赛米控SK150DA100D
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	1.7 V
在25 C的连续集电极电流：	600 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	2100 W
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	EconoDUAL-3
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格个中英文PDF资料	联系索取和咨询
工厂包装数量：	12

赛米控IGBT模块SK150DA100D参数图

SK150DA100D保管时的注意事项
一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；
在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；
保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；
装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702

QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/

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