价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKM40GAR121D原装现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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脉冲后沿过程
脉冲后沿阶段,IGBT输入电容反向放电,脉冲变压器二次侧可视为一结点,反向放电速度很快,以加速IGBT的关断。对脉冲变压器本身来说,当矩形脉冲后沿到来时,漏感的作用已过去,对波形产生作用的参量只有直流电阻R、布电容CD和励磁电感LM,等效电路如图3所示。由于脉冲阶段分布电容CD和励磁电感LM的储能在该阶段释放,致使该RLC并联电路发生振荡,但由于振荡呈明显的衰减性,因此,不会使脉冲后沿发生明显的波动。对功率开关管IGBT来说,在脉冲后沿阶段,随驱动信号的下降,IGBT的内阻迅速上升。由于后沿时间极短,根据边缘过程理论[3],逆变器高频变压器一次侧反向动态电流i1急剧上升,电流变化率di1/dt很大,必然产生很大的关断电压尖峰,使逆变器的可靠运行受到威胁。但是,由于IGBT的关断速度受到驱动脉冲后沿下降速度的控制,因此,i1是一个受控电流源。这样,我们就可以通过控制驱动脉冲后沿陡度来控制其变化速率,从而限制IGBT关断电压尖峰。实验也证明,采用较缓的驱动脉冲后沿,可以有效的减小关断电压尖峰,提高整机可靠性。