电子元器件及组件
赛米控IGBT模块SKM500GA123D深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 14:31:02 产品编号:GY-5-91460694  分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKM500GA123D深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  赛米控IGBT模块SKM500GA123D针对汽车行业发行的EconoDUAL3系列模块典型代表模块,其在有限的底板尺寸实现了**高的功率密度(高达600A/1200V)。该模块具有出色的开关特性,而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的DCB,与相关的450A版本相比,其输出功率**可增加30%。FF225R17ME3是英飞凌在IGBT模块开发和制造及处理和实现特定汽车要求方面的十多年丰富经验的体现,它可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可明显增加温度周次和抗热冲击能力,而且采用了全新的可改善EMI特性的软特性二极管。
   为了便于物流运输和产品跟踪,所有英飞凌IGBT模块都具有**的完整标签。全新的EconoDUAL3模块采用了带DMX代码的芯片,能够自动识别已装配的器件,增强了可跟踪性。
  
赛米控IGBT模块SKM500GA123D深圳现货参数资料

产品:

IGBT Silicon Modules

品牌和型号

赛米控SKM500GA123D

配置:

Dual

集电极—发射极**电压 VCEO:

1200 V

集电极—射极饱和电压:

1.7 V

在25 C的连续集电极电流:

600 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

功率耗散:

2100 W

**工作温度:

+ 125 C

封装 / 箱体:

EconoDUAL-3

商标:

Infineon Technologies

栅极/发射极**电压:

+/- 20 V

**小工作温度:

- 40 C

安装风格:

Screw

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工厂包装数量:

12

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赛米控IGBT模块SKM500GA123D参数图
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状态:离线 发送信件
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