赛米控IGBT模块SKET330/18E原装现货参数资料
封装：EconoPACK™3
 集电极-发射极电压：1200V
 连续集电极直流电流：TC = 100°C, Tvj max = 175°C 时25A。
 总功率损耗：TC = 25°C, Tvj max = 175°C时160W。
 栅极－发射极峰值电压：+/-20V
 集电极－发射极饱和电压:Tc=25℃，2.15V
 栅极阈值电压：6.4V
 栅极-发射极漏电流：100nA
 产品重量：300g

SKET330/18E IGBT模块工作原理   
  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块开通过程
  1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间
  2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。   
   除了开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i。
  英飞凌FF450R12ME3 IGBT模块关断过程
  IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
   **段是按照MOS管关断的特性的
   第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。
   除了关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
   漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。