价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKD50/16A3原装现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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赛米控IGBT模块
SKD50/16A3新一代大功率半导体器件,它具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点,是自动控制和功率变换的关键核心部件。比如动车组牵引传动系统的核心部件,随着应用领域的不断拓展 FZ1200R17KE3T的应用范围绝不**于动车组、机车等轨道交通装备行业,在电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中也有广泛应用。
赛米控IGBT模块SKD50/16A3原装现货参数资料
SKM145GB066D 195A 半桥(2单元) SEMITRANS 2
SKM195GB066D 265A 半桥(2单元) SEMITRANS 2
SKM300GB066D 390A 半桥(2单元) SEMITRANS 3
SKM400GB066D 500A 半桥(2单元) SEMITRANS 3
SKM600GB066D 760A 半桥(2单元) SEMITRANS 3
产品: IGBT Silicon Modules
CM75TF-12H 45 75A/600V/IGBT/6U MITSUBISHI
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
CM200DY-24H 45 200A/1200V/IGBT/2U MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
CM20MD1-12H 45 20A/600V/PIM/7U MITSUBISHI
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
赛米控IGBT模块SKD50/16A3参数图
门极电荷量
QGate绝不能从IGBT或MOSFET的输入电容Cies计算得出。Cies仅仅是门极电荷量曲线在原点(VGE=0V)时的一阶近似值。功率半导体的门极电荷量曲线是极其非线性的。这就是为什么QGate必须通过对门极电荷量曲线在VGE_off到VGE_on的区域内积分获得。
如果QGate在数据手册中已给出,在实际应用中一定要注意该参数给定的电压摆幅条件。不同的电压摆幅条件下门极电荷量是不同的。举个例子:如果VGE从0V到+15V条件下的门极电荷量是QGate,那么没有办法很准确的得到VGE从-10V到+15V条件下的门极电荷量。
在这样的情况下,如果没有电荷量图表(QGatevs.VGE),则实测电荷量QGate是**的方法。图2显示的是一张典型的驱动器开通过程的波形图。驱动器输出电流IOUT正在对功率器件的门极进行充电。因此,如图2所示,输出电流曲线与时间轴围成的区域就是总的充电电荷量(见图4所示的原理图)。积分时间应宽到足以涵盖整个电压摆幅(参照输出:GH,GL)。积分时间包括驱动器输出电压至**终电压,或者是从驱动器开始输出电流至输出电流为零这段时间。