赛米控IGBT模块SKD60/08深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 13:46:49 产品编号:GY-5-91452513 分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKD60/08深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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赛米控IGBT模块
SKD60/08采用第三代槽栅/场终止技术的EconoDUAL?3封装模块,内部带有控制二极管和温度检测NTC,主要针对大功率变流器、电机传动、伺服驱动器、UPS系统、风力发电机等多个应用领域。FF450R06ME3模块在其有限的底板尺寸实现了**高的功率密度(高达 450A/600V)。该模块具有出色的开关特性,而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的 DCB,相对于其它同参数的模块,其输出功率**可增加 30%。
赛米控IGBT模块SKD60/08深圳现货参数资料
产品: IGBT Silicon Modules
VCES=1200V;IC=104A;ICOM=50A;VCE(sat)=1.9V;Eon+Eoff=10.7mJ
SEMiX151GD066HD 201A 三相桥(6单元) SEMIX 13s
SEMiX201GD066HDs 259A 三相桥(6单元) SEMIX 13s
SEMiX402GAL066HDs 509A 斩波器模块 SEMIX 2s
SEMiX603GAL066HDs 720A 斩波器模块 SEMIX 3s
SEMiX402GAR066HDs 509A 斩波器模块 SEMIX 2s
SEMiX603GAR066HDs 720A 斩波器模块 SEMIX 3s
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
CM200DY-24H 45 200A/1200V/IGBT/2U MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
CM20MD1-12H 45 20A/600V/PIM/7U MITSUBISHI
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
SKD60/08特性
电气特性
沟槽栅IGBT3
Tvjop=150°C
VCEsat带正温度系数
机械特性
高功率密度
绝缘的基板
标封装
赛米控IGBT模块SKD60/08参数图
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