电子元器件及组件
赛米控IGBT模块SKD31/04原装现货参数资料
发布时间:2016-07-21 13:44:19 产品编号:GY-5-91452116  分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKD31/04原装现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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赛米控IGBT模块SKD31/04第二代高速开分立IGBT系列中的代表产品,30~100KHZ的开关频率能胜任大部分的应用环境,特别是在电视应用领域有不俗的表现。它相对于上一代器件,总关断损耗降低35%。关断损耗的大幅降低主要源自于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间缩短75%,并表现出类似MOSFET的关断开关行为。 IGA03N120H2没有内置保护二极管,使用的时候需要注意。 

赛米控IGBT模块SKD31/04深圳现货参数资料
SEMiX202GB066HDs 274A 半桥(2单元) SEMIX 2s
SEMiX302GB066HDs 379A 半桥(2单元) SEMIX 2s
SEMiX402GB066HDs 509A 半桥(2单元) SEMIX 2s
SEMiX603GB066HDs 720A 半桥(2单元) SEMIX 3s
SEMiX101GD066HDs 139A 三相桥(6单元) SEMIX 13s

产品: IGBT Silicon Modules
CM75TF-12H  45  75A/600V/IGBT/6U  MITSUBISHI
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
CM200DY-24H  45  200A/1200V/IGBT/2U  MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
CM20MD1-12H  45  20A/600V/PIM/7U  MITSUBISHI
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2

三菱IGBT模块SKD31/04参数图
产品参数图
  
  自举驱动电路不能产生负偏压,如果用于驱动桥式电路,在半桥电感负载电路下运行,处于关断状态下的IGBT由于其反并联二极管的恢复过程,将承受集电极-发射极间电压的急剧上升。此静态的du/dt通常比IGBT关断时的上升率高。由于电容密勒效应的影响,此du/di在集电极-栅极间电容内产生电流,流向栅极驱动电路。如图1-1所示。虽然在关断状态下栅极电压UGE为零,由于栅极电路的阻抗(栅极限流电阻RG、引线电感LG),该漏电流使UGE增加,趋向于UGE(th)。**恶劣的情况是使该电压达阀值电压,该IGBT将被开通,导致桥臂短路。驱动电路输出阻抗不够小,沿栅极的灌入电流会在驱动电压上加上比较严重的毛刺干扰。
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
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手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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