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赛米控IGBT模块SKD30/08A1深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 13:41:38 产品编号:GY-5-91451622  分享
价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKD30/08A1深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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赛米控IGBT模块SKD30/08A1是赛米控新一代软穿通型1200V IGBT模块,非常适用于20kHZ的工作环境,如变频器应用、不间断电源应用、焊接机应用等领域。SEMiX101GD128Ds除了极低的静态和动态损耗外,还表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态,尤其适合如e1/e2类型这样的大电流模块。尽管它的损耗较低,但它的短路电流和开关强度均较大,而且,独特的软穿通结构的电磁干扰很小。spt技术发展的同时,新的软**恢复二极管也被开发用于辅助spt的特性。

赛米控IGBT模块SKD30/08A1深圳现货参数资料
产品: IGBT Silicon Modules
VCES=1200V;IC=104A;ICOM=50A;VCE(sat)=1.9V;Eon+Eoff=10.7mJ
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
CM200DY-24H  45  200A/1200V/IGBT/2U  MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
CM20MD1-12H  45  20A/600V/PIM/7U  MITSUBISHI
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2

赛米控IGBT模块SKD30/08A1参数图
产品参数图
  
现场改造及效果
原来现场变频器中采用的是门极电压fb监控法。由于脉冲封锁无法**及时,在某个igbt损坏时造成其它igbt大面积损坏,故障损失惨重,必须对现场进行技术改造。如果采用vce电压监测法对igbt过电流进行保护,虽然比较成熟和常用,但需要对原变频器大动干戈,主回路要增加很多接线,脉冲放大板的改动量也较大。同时由于原变频器没有太多空间来布线及采取绝缘措施,无论从改造工作量和成本上都不太可行。所以vce电压监测法不适合采用。采用门极电流ig检测法就方便、简单许多。只要在原变频器igbt保护功能的基础上进行局部改造,增加igbt门极电流检测功能即可。这样一旦门极导通电流超过设定值,且经过x微秒左右的延时后,门极电流仍然超过设定值,就判断该igbt损坏或异常,立刻发出所有igbt脉冲封锁指令,及时进行有效保护,防止大面积igbt损坏。
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状态:离线 发送信件
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