电子元器件及组件
三菱IGBT模块RM1800HE-34S深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 11:59:42 产品编号:GY-5-91434974  分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块RM1800HE-34S深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块RM1800HE-34S IGBT模块采用**化的CSTBTTM硅片技术,内部集成NTC (Negative Temperature Coefficient) 测温电阻。全系列产品采用同一封装平台从而降低了模块的制造成本,使得它性价比具有不同寻常的竞争力。CM100RX-12A IGBT模块特别适合用于通用变频器。CM100RX-12A属于三菱第五代NX系列IGBT模块,具有7单元电路拓扑结构,自推出以来已经广泛地应用于三相逆变器、带制动器、大功率开关等领域。

三菱IGBT模块RM1800HE-34S深圳现货参数资料
制动部分:VCES=600V、Ic=50A、ICRM=100A、Pc=280W、Vce(sat)=1.7V、Cice=9.3nF;
逆变器部分:VCES=600V、Ic=100A、Icrm=200A、Pc=400W、Vce(sat)=1.7V、t(on)=100ns、t(off)=300ns、t(rr)=200ns;
NTC:R=5000欧姆、Tc=25℃时的功率P=100mW 。 
  产品: IGBT Silicon Modules
CM75TF-12H  45  75A/600V/IGBT/6U  MITSUBISHI
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
CM200DY-24H  45  200A/1200V/IGBT/2U  MITSUBISHI
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
CM20MD1-12H  45  20A/600V/PIM/7U  MITSUBISHI
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2

三菱IGBT模块RM1800HE-34S参数图
产品参数图
 
  采用Rg2和VD1串联再与Rg1并联,当IGBT导通时,由驱动电路内部EXB841的3脚输出正电压,VD1导通,Rg1和Rg2共同工作,因为并联后的总电阻小于每一个支路的分电阻,所以串联在栅极上的总电阻Rg的值比Rg1,Rg2的值都要小,这样使得开关时间和开关损耗随着总电阻值的减小而减少,进而降低驱动损耗。当IGBT关断时,该驱动电路内部EXB841的5脚导通,3脚不导通,IGBT的发射极提供负电压,使得与Rg2串联的VD1截止,Rg1工作,Rg2不工作,此时串联在栅极上的总电阻Rg的值就是Rg1的阻值,这样在关断IGBT时不会因为栅极间的电阻过小而导致器件的误导通,进而提高了工作效率。


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