价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块QM50TB-24B深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块QM50TB-24B作为第三代的1200V IGBT此列产品，集合了前几代系列产品的优点。降低饱和电压，远低于标准竞争的IGBT所提供的价值。并由于系列的优化，改善了E3 IGBT晶片的功率密度，散热相同的条件下提高了功率密度。高效率地损失为电机控制和驱动的应用提供**高的效率。且它低开关损耗和低传到损耗，更是为应用提高了方便。优化后的FF1200R17KE3 一系列主要应用于电机控制和驱动，风能系统、太阳能、汽车等行业。

  一种新型igbt元件自损**检测法(即门极电流ig检测法)当igbt元件损坏时，门极与发射极之间也被击穿，但由于结电容的作用，门极电压变化缓慢。但根据电路理论i=cdu/dt可知，门极电流ig变化比门极电压vge快得多。因此，可以综合igbt的门极脉冲指令与门极电流来准确、**地判断igbt是否损坏。一旦检测到某个igbt损坏，立即封锁igbt脉冲指令，能完全避免并联回路大量igbt损坏，不会扩大故障范围。
  igbt元件正常时，当门极电压给定信号从on切换成off后，igbt门极电流ig数值比较小，具体数值与igbt元件有关，我们已经掌握了三菱3.3kv/1.2ka大容量igbt的电流数值以及延时时间。igbt损坏时门极电流变化以及检出如图5所示。当检测出igbt有异常时，立即发出脉冲封锁命令，防止故障扩大化。该方式的优点是检测、封锁时间极短，只有几个微秒，能完全避免igbt大面积损坏。缺点是在igbt导通工作时，无法判断其是否异常，只有在igbtoff指令发出时才可以判断igbt是否自损坏。