三菱IGBT模块QM75DY-2HB深圳现货参数资料_供应

三菱IGBT模块QM75DY-2HB深圳现货参数资料

发布时间:2016-07-21 11:47:39 产品编号:GY-5-91432491 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块QM75DY-2HB深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块QM75DY-2HB是针对E3系列的进一步的开发优化，适用于变频器中达到了更高的效率。其发射极饱和电压(VCEsat)比E3系列减小了大约100mA，T3系列IGBT的关断损耗（FS75R12KT3 Eoff= 8.1m J）在额定工作条件下比E3系列(FS75R12KE3 Eo ff= 9.5m J)减小了大约17%。且拥有更高的开关频率，减少了在较高的电流密度组合的损失。主要适用于变频器、焊机逆变器等。

三菱IGBT模块QM75DY-2HB深圳现货参数资料

CM200E3Y-12H 20 200A/600V/IGBT/1U MITSUBISHI
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
CM200E3Y-24H 20 200A/1200V/IGBT/1U MITSUBISHI
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 CCM200HA-24H 45 200A/1200V/IGBT/1U MITSUBISHI
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
CM200TU-12F 96 200A/600V/IGBT/6U MITSUBISHI
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
CM200TU-12H 45 200A/600V/IGBT/6U MITSUBISHI
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2

一般电路波形接近方波部分说明其输出含有较多的谐波分量，这样会使系统产生不必要的附加损耗，如图5是采用IGBT的改进电路，其波形很接近正弦波，理想的正弦波其总谐波畸变度为零，但实际生活中很难达到这样的水准，因此基本达到要求，同时由于PICl6F873单片机具有多路PWM发生器，又具有更好的输出正弦波的特点，因此验证了实验的可行性，达到了预期效果。

三菱IGBT模块QM75DY-2HB参数图

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