三菱IGBT模块QM75E3Y-2H深圳现货参数资料_供应

三菱IGBT模块QM75E3Y-2H深圳现货参数资料

发布时间:2016-07-21 11:44:20 产品编号:GY-5-91431785 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块QM75E3Y-2H深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块QM75E3Y-2H通过允许高压端和低压端IGBT独立优化实现很高的效率;高压端、同封装的软恢复二极管没有续流时间，从而消除了不必要的开关损耗;低压端IGBT的开关频率只有60Hz，因此导通损耗是这些IGBT的主要因素;没有交叉导通，因为任何时间点的开关都发生在对角的两个器件上(Q1和Q4或Q2和Q3);不存在总线直通的可能性，因为桥的同一边上的IGBT**不可能以互补方式开关;跨接低压端IGBT的同封装、超**、软恢复二极管经过优化可以使续流和反向恢复期间的损耗达到**小。

三菱IGBT模块QM75E3Y-2H深圳现货参数资料
CM75TF-12H 45 75A/600V/IGBT/6U MITSUBISHI
CM20MD1-12H 45 20A/600V/PIM/7U MITSUBISHI
CM20LD-12H 100 20A/600V/PIM/7U MITSUBISHI
CM20ADXX-12H 60 20A/600V/IGBT+DIODE/7U MITSUBISHI

产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2

三菱IGBT模块QM75E3Y-2H参数图

保护工作过程描述：

DESAT（饱和压降检测）：该端子时刻监视集电极与发射极的饱和电压。

当检测到电压超过7V时，VOUT（输出）端子电压变低。

FAULT（故障输出）为低，用户CPU开始进入外中断服务程序。

输出控制描述：
输出端子VOUT，FALUT受控于VIN，UVLO，DESAT的工作情况，HCPL316J可以使用VIN+，VIN-来定义是高电平或低电平有效。当低电平有效时，VIN+必须保持为高电平VIN-为触发信号端。一旦UVLO没有使能，VOUT输出则有效，14脚DESAT检测端子为**高优先级，UVLO先要确认DESAT是否已经使能。下面表格帮助用户理解工作过程：

VIN+	VIN-	UVLO(VCC2-VE)	DESAT	6脚故障输出	VOUT输出
三态	三态	使能	三态	三态	低电位
三态	三态	三态	使能	低电平	低电位
低电平	三态	三态	三态	三态	低电位
三态	高电平	三态	三态	三态	低电位
高电平	低电平	不工作	不工作	高	高电位，IGBT可以打开

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
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