电子元器件及组件
三菱IGBT模块TM90RZ-2H深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 11:39:09 产品编号:GY-5-91430550  分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM90RZ-2H深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块TM90RZ-2H是通过对第三代1200V IGBT系列产品-E3的性能的提升的出来的产品。它相对的减小了集射极饱和电压(VCEsat) 和关断损耗(Eo ff) 。优化后的T3器件工作在更高的工作频率。功率损耗减小和电流密度提高扩大了IGBT3模块系列产品的应用范围。 这使我们能够提供可靠和高效的解决方案为您的工业应用例如通用逆变器、太阳能和风能变频器、UPS、焊接、感应加热和smp系统。我们也**使用igbt在消费应用程序(如电饭煲、微波炉和感应烹饪烤箱或者空调系统。离散汽车igbt模块,也可用于应用程序(如压电注入,HID照明、水泵和小驱动器。

三菱IGBT模块TM90RZ-2H深圳现货参数资料
制动部分:VCES=600V、Ic=50A、ICRM=100A、Pc=280W、Vce(sat)=1.7V、Cice=9.3nF;
逆变器部分:VCES=600V、Ic=100A、Icrm=200A、Pc=400W、Vce(sat)=1.7V、t(on)=100ns、t(off)=300ns、t(rr)=200ns;
NTC:R=5000欧姆、Tc=25℃时的功率P=100mW 。

产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 1150 A
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IHM130
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
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**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2

三菱IGBT模块TM90RZ-2H参数图

产品参数图
  一般电路波形接近方波部分说明其输出含有较多的谐波分量,这样会使系统产生不必要的附加损耗,如图5是采用IGBT的改进电路,其波形很接近正弦波,理想的正弦波其总谐波畸变度为零,但实际生活中很难达到这样的水准,因此基本达到要求,同时由于PICl6F873单片机具有多路PWM发生器,又具有更好的输出正弦波的特点,因此验证了实验的可行性,达到了预期效果。
  通过对器件的比较与分析,电路的改进与优化,集成电路EXB841本身内部含有过电流保护电路.解决了绝缘栅双极晶体管IGBT对驱动电路部分的要求,而且减少了外部电路的设计,使得整个设计过程简单、方便。软开关技术则解决了IGBT导通与关断时流过电流与其上电压过大的问题,**终整个系统的驱动损耗和开关损耗大大减少,输出波形是较为稳定的正弦波,进而提高了整个系统的工作效率。
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状态:离线 发送信件
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