品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM100DU-24NFH深圳现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块CM100DU-24NFH深圳现货参数资料
发布时间:2016-07-21 11:06:32 产品编号:GY-5-91423121 分享
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品牌:三菱
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三菱IGBT模块CM100DU-24NFH大容量IGBT整流器采用三电平PWM控制，应用调整载波相位配合等技术有效降低了谐波对电网的影响；采用高功率因数矢量控制技术，保证了网侧输入功率因数到1.0；采用低开关频率载波并配合预见性PWM控制技术，提高IGBT在大容量系统中的应用能力。通过在运行中检修试验等实践，证明了其可以较好满足生产中各项要求。
三菱IGBT模块CM100DU-24NFH深圳现货参数资料
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： IHM130
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
深圳德意志工业库存 80只
产品价格 联系我们咨询
三菱**中文PDF资料 点击下载，或 联系我们索取
**小工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 2
CM200DU-12H 90 200A/600V/IGBT/2U MITSUBISHI
CM150E3Y-12H 20 150A/600V/IGBT/1U MITSUBISHI
CM150E3U-24H 40 150A/1200V/IGBT+DIODE/2U MITSUBISHI
CM150E3U-12H 40 150A/600V/IGBT/1U MITSUBISHI
CM150DY-28H 45 150A/1400V/IGBT/2U MITSUBISHI
CM150DY-24NF 84 150A/1200V/IGBT/2U MITSUBISHI
IGBT的工作原理
绝缘栅双极晶体管IGBT是相当于在MOSFET的漏极下增加了P+区吲，相比MOSFET来说多了一个PN结，当IGBT的集电极与发射极之间加上负电压时，此PN结处于反向偏置状态，其集电极与发射极之间没有电流通过，因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐压性。也是由于P+区的存在，使得IGBT在导通时是低阻状态，所以相对MOSFET来说，IGBT的电流容量要更大一些。表1所示为MOSFET和IGBT的性能对比，其中MOSFET的门栅极驱动损耗是比较低的，但相比于IGBT来说IGBT的门栅极驱动损耗更低一些。
三菱IGBT模块CM100DU-24NFH深圳现货参数资料
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
在25 C的连续集电极电流： 1150 A
**工作温度： + 125 C
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IGBT的工作原理
绝缘栅双极晶体管IGBT是相当于在MOSFET的漏极下增加了P+区吲，相比MOSFET来说多了一个PN结，当IGBT的集电极与发射极之间加上负电压时，此PN结处于反向偏置状态，其集电极与发射极之间没有电流通过，因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐压性。也是由于P+区的存在，使得IGBT在导通时是低阻状态，所以相对MOSFET来说，IGBT的电流容量要更大一些。表1所示为MOSFET和IGBT的性能对比，其中MOSFET的门栅极驱动损耗是比较低的，但相比于IGBT来说IGBT的门栅极驱动损耗更低一些。
三菱IGBT模块CM100DU-24NFH参数图
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公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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