电子元器件及组件
富士IGBT单管FGW75N60HD现货参数资料
发布时间:2016-07-20 17:38:06 产品编号:GY-5-91329493  分享
价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT单管FGW75N60HD现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT单管FGW75N60HD等高功率开关的发行使太阳能、风能等新能源行业将得到蓬勃发展,这些行业要求系统的设计,经济、高效、可靠。作为全球功率半导体的**企业,英飞凌的功率器件,多年来因其稳定、突出的能效而备受电力电子行业推崇,将迎合上述系统要求而大显身手。从风电来看,提高单机功率是个趋势,尤其离岸和潮汐带的风力资源决定需要大功率风机,以提高资源利用率。这就需要更大电流,更高电压的功率半导体器件,主要是高压大电流的IGBT模块和功率组件Stack。

富士IGBT单管FGW75N60HD现货参数资料

产品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Dual

品牌和型号

富士FGW75N60HD

集电极—发射极**电压 VCEO:

1200 V

集电极—射极饱和电压:

2.15 V

在25 C的连续集电极电流:

520 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

功率耗散:

2400 W

**工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

62 mm

商标:

Infineon Technologies

栅极/发射极**电压:

20 V

**小工作温度:

- 40 C

产品资料和价格

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深圳德意志工业库存

50个以上

安装风格:

Screw

工厂包装数量:

1000


产品特点:
 •功能强大的单片体二极管具有极低的正向电压。
 •体二极管钳位电压负。
 •沟槽场终止技术, 1600 V应用提供:- 参数分布非常紧凑- 高耐用性,温度稳定的行为。
 •NPT技术提供因易并行交换能力在V正温度系数CE ( SAT )。
 •低EMI。
 •根据JEDEC合格1为目标的应用。
 •无铅镀铅;符合RoHS标准。
 •完整的产品范围和PSpice的模型。
富士IGBT单管FGW75N60HD参数图
产品参数图


富士IGBT单管FGW75N60HD结构图
 产品结构图

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