价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT单管7MBP50RA060-55现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT单管FGW50N60VD ，为保持谐波分量低和功率损耗**小，逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制(PWM)，低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。通过让高压端IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案，输出电感L1和L2在实例中可以做得很小，并且照样能对谐波分量进行高效滤波。此外，来自逆变器的可闻噪声也很小，因为开关频率高于人耳听觉频率。比较各种开关技术和IGBT的发现，获得**功率损耗和**高逆变器性能的**组合是高压端晶体管使用超**沟道型IGBT，低压端晶体管使用标准速度的平面工艺IGBT。

富士IGBT单管FGW50N60VD现货参数资料

产品：	IGBT Silicon Modules
配置：	Dual
品牌和型号	富士FGW50N60VD
集电极—发射极**电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	2.15 V
在25 C的连续集电极电流：	520 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	2400 W
**工作温度：	+ 150 C
封装 / 箱体：	62 mm
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	20 V
**小工作温度：	- 40 C
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深圳德意志工业库存	50个以上
安装风格：	Screw
工厂包装数量：	1000

富士IGBT单管FGW50N60VD参数图



富士IGBT单管FGW50N60VD
 

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