价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块7MBP50RU2A120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块7MBP50RU2A120-50是由高速低功耗的IGBT管芯和优化的栅极驱动电路以及**保护电路组成的英飞凌第三代智能PIM模块。模块内部不仅把IGBT功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还具有过电流和过热等故障检测电路，即使发生负载短路或过热事故，也可以保护IPM不受损坏。 英飞凌FP25R12KE3里面有6支整流管。一个制动IGBT管，6支逆变IGBT，带温度检测。这些管子都需要外接驱动电路和主回路，英飞凌FP25R12KE3主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。

  富士IGBT模块7MBP50RU2A120-50现货参数资料

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士7MBP50RU2A120-50
配置：	Hex
集电极—发射极**电压 VCEO：	45 V
集电极—射极饱和电压：	2.55 V
在25 C的连续集电极电流：	185A
栅极—射极漏泄电流：	520 nA
功率耗散：	420 W
**工作温度：	+ 230 C
封装 / 箱体：	EconoPACK 7A
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 49 V
**小工作温度：	- 65 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系外面咨询和索取
工厂包装数量：	400

富士IGBT模块7MBP50RU2A120-50参数图



富士IGBT模块7MBP50RU2A120-50性能曲线图


安装使用注意事项
   a) 防静电：
IGBT模块的门极对静电等非常敏感。人体等所携带的静电以及栅极-发射极间施加过高电压（±20V以上），都可能导致IGBT因栅极击穿而损坏。因此在使用产品是遵守以下所述的注意点：
**、使用模块时，先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻（1MΩ左右）接地放电后，再在接地的导电性垫板上进行操作。
第二、使用IGBT模块时，要拿封装主体，不要直接触碰端子（特别是控制端子）部。
第三、对IGBT端子进行锡焊作业的时候，为了避免由烙铁，烙铁焊台的泄漏产生静电外加到IGBT上，烙铁前端等要用十分低的电阻接地
第四、IGBT模块是在用IC泡沫材料等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的，这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除。