价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块7MBP25TEA120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块7MBP25TEA120-50 为了使设计更加容易并且确保器件在应用中具有更高的裕量，这些模块采用了增强型IGBT和二极管芯片，耐压达到650V。这些新的芯片与众所周知的600V IGBT3器件一样，具有相同的导通特性和开关特性；而且可靠性也没有发生改变(如SOA、RBSOA、SCSOA)。这些通过**的IGBT和二极管终端结构的开发得以实现，并确保了超薄的70?m芯片厚度不发生改变。因此，650V IGBT的集电极－发射极饱和电压VCE_SAT在25°C仍然保持在极低的1.45V水平(150°C时为1.70V)。器件的开关损耗较低，当开关频率为16kHz时，损耗仅占逆变器总损耗的三分之一。此外，该IGBT还具备非常平滑的电流拖尾特性，即使在恶劣的条件下，也不会造成电压过冲。二极管的VF-Qrr 关系也作了优化，正向压降极在25°C条件下为1.55V((150°C时为1.45V)，并保持器软关断特性。

富士IGBT模块7MBP25TEA120-50现货参数资料

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士7MBP25TEA120-50
配置：	Hex
集电极—发射极**电压 VCEO：	352 V
集电极—射极饱和电压：	2.32 V
在25 C的连续集电极电流：	150A
栅极—射极漏泄电流：	360 nA
功率耗散：	320 W
**工作温度：	+ 180 C
封装 / 箱体：	EconoPACK 5A
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 55 V
**小工作温度：	- 65 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系外面咨询和索取
工厂包装数量：	560

富士IGBT模块7MBP25TEA120-50参数图



富士IGBT模块7MBP25TEA120-50性能曲线图