价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块7MBR35VA120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块7MBR35VA120-50现货参数资料在逆变器驱动UPS或电机应用中，IGBT如果在故障电机、输出短路或输入总线电压直通情形中导通，可能会损坏。在这些条件下，经过IGBT的电流**增加直至饱和。在故障检测和保护功能激活前，IGBT将承受电压力。从拓扑上看，三级中点箝位拓扑越来越普遍，甚至可应用到中低功率逆变器，因为更好的输出电压性能可减小滤波器尺寸并降低成本，同时在不过分牺牲开关损耗的情况下增加开关频率。在这种情况下，1200V击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。由于无法在三级NPC拓扑中完美平衡直流母线电压，较高的阻断电压对此拓扑极其重要。开发1200V IGBT时，将开关和传导损耗保持在与120000V IGBT相同水平至关重要。通常较高的击穿电压会造成Vce(sat)增加，并导致逆变器应用中的性能降低。

富士IGBT模块7MBR35VA120-50现货参数资料
6MBP150TEA060 　 6MBP50RA(RS)120 50A/1200V/6U
6MBP50RA060 50A/600V/6U 6MBP75RA(RS)120 75A/1200V/6U
6MBP75RA(RS)060 75A/600V/6U 6MBP100RA(RS)120 100A/1200V/6U
6MBP100RA(RS)060 100A/600V/6U 6MBP150RA120 150A/1200V/6U
型号7U 600V/IPM 技术指标 型号7U 1200V/IPM 技术指标
7MBP50RA060 50A/600V/7U 7MBP25RA120 25A/1200V/7U
7MBP50TEA060 　 7MBP50RA120 50A/1200V/7U
7MBP75TEA060 　 7MBP75RA120 75A/1200V/7U
7MBP100TEA060 　 7MBP100RA120 100A/1200V/7U
7MBP150TEA060 　 7MBP150RA120 150A/1200V/7U

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士7MBR35VA120-50
配置：	Hex
集电极—发射极**电压 VCEO：	590 V
集电极—射极饱和电压：	2.93 V
在25 C的连续集电极电流：	357 A
栅极—射极漏泄电流：	380 nA
功率耗散：	560 W
**工作温度：	+ 147 C
封装 / 箱体：	EconoPACK 5A
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 35 V
**小工作温度：	- 55 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系外面咨询和索取
工厂包装数量：	160

富士IGBT模块7MBR35VA120-50参数图



富士IGBT模块7MBR35VA120-50结构图