价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块7MBR15VKC120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块7MBR15VKC120-50 在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。　　在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

富士IGBT模块7MBR15VKC120-50现货参数资料

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士7MBR50UA120-50
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	620 V
集电极—射极饱和电压：	1.7 V
在25 C的连续集电极电流：	760 A
栅极—射极漏泄电流：	430 nA
功率耗散：	1750 W
**工作温度：	+ 180 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 40 V
**小工作温度：	- 49 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	160

富士IGBT模块7MBR15VKC120-50参数图



富士IGBT模块7MBR15VKC120-50结构图


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