价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块7MBR50UA120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块7MBR50UA120-50是由欧佩克生产的新型IGBT之一，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，能实现高效和可靠的逆变器系统。7MBR50UA120-50电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

富士IGBT模块7MBR50UA120-50现货参数资料
6MBP15RY060 15A/600V/6U 6MBP100NA060 100A/600V/6U
6MBP20RTA060 20A/600V/6U 6MBP150RA(RF)060 150A/600V/6U
6MBP20RY060 20A/600V/6U 6MBP150RS060 150A/600V/6U
6MBP30RY060 30A/600V/6U 6MBP160Rta060 160A/600V/6U

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士7MBR50UA120-50
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	1.9 V
在25 C的连续集电极电流：	700 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1650 W
**工作温度：	+ 150 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	10

富士IGBT模块7MBR50UA120-50参数图

富士IGBT模块7MBR50UA120-50结构图



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