价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块7MBR50SB120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块7MBR50SB120-50GBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

富士IGBT模块7MBR50SB120-50现货参数资料

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士7MBR50SB120-50
配置：	Hex
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	2.45 V
在25 C的连续集电极电流：	226 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	700 W
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	EconoPACK 3A
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系外面咨询和索取
工厂包装数量：	500

7D100D-050EHR 100A/500V/7U 7MBR15SA120 15A/1200V/7U
7D150D-050EHR 150A/500V/7U 7MBR15(25)LC-120 15A(25A)/1200V/7U
7D30A-050EJR 30A/500V/7U 7MBR25NE(NF)120 25A/1200V/7U
7D50A-050EJR 50A/500V/7U 7MBR25SA120 25A/1200V/7U
7D75A-050EJR 75A/1200V/7U 7MBR35SA(SB)120 35A/1200V/7U
7MBR50SB060 　 7MBR35SD120 35A/1200V/7U
7MBR75SB060 　 7MBR50SA(SB)120 50A/1200V/7U
7MBR100SB060 100A/600V/7U 7MBR50SD120 50A/1200V/7U
7MBR15LB120 　 7MBR15LD120 　
富士IGBT模块7MBR50SB120-50参数图

富士7MBR50SB120-50结构图