价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块6MBI100VA-120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块6MBI100VA-120-50从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台（反向传输电容 Cres 的放电）时，IGBT3开始建立反向电压 (t2)，(dv/dt)可以通过栅极电阻控制，即栅极电阻增加，dv/dt 会降低。但是，当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时，栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域，栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时，电流变化率才能控制。电感负载时，只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时，(t3)，电流就会通过相关的续流二极管换流。

富士IGBT模块6MBI100VA-120-50现货参数资料
6MBP50JB(JA)060 50A/600V/6U 6R6D10A-050BHX 10A/500V/6U
6MBP75JB(JA)060 75A/600V/6U 6R6D15A-050BHX 15A/500V/6U
6MBP100JB(JA)060 100A/600V/6U 6R6D20A-050BHX 20A/500V/6U
6MBP150JB(JA)060 150A/600V/6U 6R6D30A-050BHX 30A/500V/6U
6MBP200JA(JB)060 200A/600V/6U 6R6D50A-050BHX 50A/500V/6U
6MBP200(300)KA060 200A(300A)/600V/6U 6R6D10A-120BHX 10A/1200V/6U

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	2MBI450U4N-170-50
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	1.9 V
在25 C的连续集电极电流：	700 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1650 W
**工作温度：	+ 150 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	10

富士IGBT模块6MBI100VA-120-50参数图