价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块6MBI100U2B-060现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块6MBI100U2B-060 IGBT模块的封装和连接技术充分利用了硅的能力，从而产生了一个具有良好成本效益的解决方案。具有输人阻抗高、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点，英飞凌BSM75GB60DLC应用在变频器的主电路逆变器及一切逆变电路，即DC／AC变换中，如电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。

富士IGBT模块6MBI100U2B-060现货参数资料
3R3T130E-080、2BI100E-004、3R3T160E-080、2FI200A-060C、2FI200A-060N、2FI200A-060D、4R3T120Y-080、2BI200E-004C、2BI200E-004N、2BI200E-004D、4R3T130Y-080、2FI200F-060C、2FI200F-060N、2FI300A-060、2FI200F-060D、2FI300S-140、4R3T160Y-080、2RI60E-060、6R1T130Y-08

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士6MBI100U2B-060
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	1.9 V
在25 C的连续集电极电流：	700 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1650 W
**工作温度：	+ 150 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	10

富士IGBT模块6MBI100U2B-060参数图

富士IGBT模块6MBI100U2B-060结构图


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