价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI450U4N-170-50现货参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块2MBI450U4N-170-50 在逆变器驱动UPS或电机应用中，IGBT如果在故障电机、输出短路或输入总线电压直通情形中导通，可能会损坏。在这些条件下，经过IGBT的电流**增加直至饱和。在故障检测和保护功能激活前，IGBT将承受电压力。从拓扑上看，三级中点箝位拓扑越来越普遍，甚至可应用到中低功率逆变器，因为更好的输出电压性能可减小滤波器尺寸并降低成本，同时在不过分牺牲开关损耗的情况下增加开关频率。在这种情况下，1200V击穿电压为满足应用要求提供了极大的帮助。由于无法在三级NPC拓扑中完美平衡直流母线电压，较高的阻断电压对此拓扑极其重要。开发1200V IGBT时，将开关和传导损耗保持在与120000V IGBT相同水平至关重要。通常较高的击穿电压会造成Vce(sat)增加，并导致逆变器应用中的性能降低。

富士IGBT模块2MBI450U4N-170-50现货参数资料

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	2MBI450U4N-170-50
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	1.9 V
在25 C的连续集电极电流：	700 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1650 W
**工作温度：	+ 150 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	10

富士IGBT模块2MBI450U4N-170-50参数图


模块到散热器的安装
为了避免基板的不必要的拉伸和张力，散热器必须保证硬度并避免在安装和运输过程中的变形。 所有的安装螺钉都必须按照统一的特定的扭矩。使用电子控制的或者至少低速电子螺丝刀可以确保这个扭矩。这个工作也可以通过定扭矩扳手来手工完成。考虑到精度问题，我们建议**不要使用气动螺丝刀。