价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI300VN-170-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块2MBI300VN-170-50 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

富士IGBT模块2MBI300VN-170-50现货参数资料

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	英飞凌FF600R06ME3
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	1.9 V
在25 C的连续集电极电流：	700 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1650 W
**工作温度：	+ 150 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
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工厂包装数量：	10

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富士IGBT模块2MBI300VN-170-50参数图