价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI225VJ-120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块2MBI225VJ-120-50现货参数资料是带有温度检测NTC采用第三代沟槽栅/场终止和第三代发射极控制技术的英飞凌第三代IGBT  EconoDUAL™3模块，FF600R06ME3具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了PT和NPT技术的优势。英飞凌FF600R06ME3主要运用在大功率变流器、电机传动、伺服驱动器、UPS系统、风力发电机等电子工业设备中。

富士IGBT模块2MBI225VJ-120-50现货参数资料

产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	英飞凌FF600R06ME3
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	1.9 V
在25 C的连续集电极电流：	700 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1650 W
**工作温度：	+ 150 C
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	10

富士IGBT模块2MBI225VJ-120-50参数图


检测注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用　表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。