价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI300VN-120--50现货参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

点击这里QQ咨询

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

 富士IGBT模块2MBI300VN-120--50从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台（反向传输电容 Cres 的放电）时，IGBT3开始建立反向电压 (t2)，(dv/dt)可以通过栅极电阻控制，即栅极电阻增加，dv/dt 会降低。但是，当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时，栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域，栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时，电流变化率才能控制。电感负载时，只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时，(t3)，电流就会通过相关的续流二极管换流。

富士IGBT模块2MBI300VN-120--50现货参数资料
1FI150B-060、1FI250B-060、1FI600A-120、1FI600A-200、1FI60A-120F、1FI60A-120R、2RI60E-080、2RI60G-120、2FI150A-030C、2FI150A-030N、2FI150A-030D、2RI60G-160、2FI50A-060C、2FI50A-060D、2FI50A-060N、2RI100E-060、2FI50G-100C、2FI50G-100N、2FI50G-100D

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士2MBI1400VXB-120P-54
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	3.2 V
在25 C的连续集电极电流：	275 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1.4 kW
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	62 mm
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	500

富士IGBT模块2MBI300VN-120--50参数图

在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;

2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;

3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;

4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物;

5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

6. 检测IGBT模块的的办法。