价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI300VB-060-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

点击这里QQ咨询

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

富士IGBT模块2MBI300VB-060-50是带有温度检测NTC采用第三代沟槽栅/场终止和第三代发射极控制技术的英飞凌第三代IGBT  EconoDUAL™3模块，FF600R06ME3具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了PT和NPT技术的优势。英飞凌FF600R06ME3主要运用在大功率变流器、电机传动、伺服驱动器、UPS系统、风力发电机等电子工业设备中。

富士IGBT模块2MBI300VB-060-50现货参数资料
6DI100MA-050、6DI150AH-050、6DI50A-060、6DI75A-060、6DI85A-060、6DI120A-060、6DI120C-060、6DI120D-060、6DI150A-060、6DI10A-120、6DI15A-120、6RI30A-060、6RI30B-060、6RI30E-060、6RI50E-060、6RI75E-060、6RI100E-060、6RI30A-080、6RI30B-080、6RI30E-080、6RI30FE-080、6RI30F-080、6RI50E-080、6RI75E-080、6RI75G-080、6RI100E-080、6RI150E-080、6RI30G-120、6RI75G-120、6RI100G-120、6RI30G-160、6RI75G-160、6RI100G-160

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士2MBI150VH-170-50
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	3.2 V
在25 C的连续集电极电流：	275 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1.4 kW
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	62 mm
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品价格和中英文资料	联系我们咨询和索取
工厂包装数量：	500

电气特性 
• 沟槽栅IGBT3 
• Tvjop=150°C
• VCEsat带正温度系数 
 
机械特性 
• 高功率密度 
• 绝缘的基板 
• 标封装
为了使导热剂均匀发布，确保散热器的接触点控制。我们建议在涂覆导热剂和模块定位到散热器上以后，按照以下步骤来拧紧172×89模块上的10个螺丝（或者250×89模块上的14个螺丝）： 1. 通过对角线上的螺丝慢慢固定模块。例如PrimePack2上的螺丝7—8（PrimePack2上的螺丝11—12），用手缓慢按压模块并轻轻转动来分布导热剂。 2. 3. 按照6Nm±10%的扭力拧紧螺丝，如图7所示：PrimePack2的1-10和PrimePack3的1-14，按照途中数字顺序拧紧。 如果利用高粘度的导热剂，我们建议在1步与2步之间加入一步1.a： 1.a 按照之前相同的方向以2Nm±15%的扭力拧紧螺丝，通过附加的这一步骤，可以是导热剂能更好的分布开并填满空隙。 4.母线排与模块功率端子的连接 集电极的功率端子与发射极的功率端子一样，需要与母线排有很好的电接触和热接触。母线排的接触面一定要标准，才能避免模块上另外的发热。 母线排必须按照下面的方法来连接到功率端子，在装配过程中这些力都不能超过图8所示的值。

富士IGBT模块2MBI300VB-060-50参数图