价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI1400VXB-120P-54现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  富士IGBT模块2MBI1400VXB-120P-54是带有温度检测NTC采用第三代沟槽栅/场终止和第三代发射极控制技术的英飞凌第三代IGBT  EconoDUAL™3模块，FF600R06ME3具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了PT和NPT技术的优势。英飞凌FF600R06ME3主要运用在大功率变流器、电机传动、伺服驱动器、UPS系统、风力发电机等电子工业设备中。
  在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查，一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。

富士IGBT模块2MBI1400VXB-120P-54现货参数资料

产品种类：	IGBT 模块
产品：	IGBT Silicon Modules
品牌和型号	富士2MBI1400VXB-120P-54
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	1200 V
集电极—射极饱和电压：	3.2 V
在25 C的连续集电极电流：	275 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	1.4 kW
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	62 mm
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
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工厂包装数量：	500

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富士2MBI1400VXB-120P-54参数图

富士2MBI1400VXB-120P-54结构图