价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI450VN-170-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块2MBI450VN-170-50在三电平NPC的拓扑中，每一个桥臂由四个带反并二极管的IGBT以串联的方式连接，另外再配上两个二极管DH和DL，将它们中间节点连接到直流母线的中性点。其中所采用的所有功率半导体都具备相同的击穿电压。根据输出电压和电流的特点，一个周期的基频输出有四个不同续流工作状态。
   集成三电平中所有功率器件。右边的三个功率端子用来把直流母线分开，为三电平逆变器带来极低的寄生电感，与它相对的两个功率端子并联起来作为每一个桥臂的输出端子。在模块封装的两侧是控制引脚，PCB驱动板可以通过这些端子直接连接。这种封装的三电平模块中的桥臂的**高电流高达300A。

富士IGBT模块2MBI450VN-170-50现货参数资料
2DI30D-100、2DI50Z-100、2DI50D-100、2DI50ZB-100、2DI50ZP-100、2DI75Z-100、2DI75D-100、2DI75Z-100、2DI100D-100、2DI100A-100、2DI150Z-100、2DI150D-100、2DI200D-100、2DI30A-120、2DI30Z-120、2DI50A-120、2DI50A-120A、2DI50M-120、2DI50Z-120、2DI75A-120、2DI75A-120A、2DI75Z-120、2DI75B-120、2DI75D-120、2DI75M-120、2DI75MA-120、2DI100A-120、2DI100A-120A、2DI100Z-120、2DI100M-120A、2DI100MA-120、2DI150A-120、2DI150A-120A、2DI150Z-120、2DI150B-120、2DI150M-120、2DI150MA-120、2DI30A-140、2DAI50A-140、2DI50Z-140、2DI75A-140、2DI75Z-140、2DI100A-140、2DI100Z-140、2DI150A-140、2DI150Z-140

产品种类：	IGBT 模块
品牌和型号	富士2MBI650VXA-170E-50
产品：	IGBT Silicon Modules
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	2.2 V
在25 C的连续集电极电流：	100 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	355 W
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	34MM
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品报价和资料	联系我们索取和咨询
工厂包装数量：	500

富士IGBT模块2MBI450VN-170-50现货参数图


富士IGBT模块2MBI450VN-170-50结构图