富士IGBT模块2MBI75U4A-120在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
    此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
    在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

富士IGBT模块2MBI75U4A-120参数资料
1DI100H-120、1DI150F-120、1DI150H-120、1DI150E-120、1DI200A-120、1DI200Z-120、1DI200M-120、1DI200ZN-120、1DI200ZP-120、1DI300A-120、1DI300Z-120、1DI300M-120、1DI300B-120、1DI300ZP-120、1DI300ZN-120、1DI300MN-120、1DI300MP-120、1DI400A-120、1DI400MN-120、1DI400MP-120、1DI200A-140、1DI200Z-140、1DI300A-140、1DI300Z-140