价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI75S-120原装现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块2MBI75S-120是采用三项桥十六单元结构的逆导型低频IGBT3模块，其性能高耐压,可大大降低导通压降。相比前代英飞凌IGBT模块FP40R12KE3G存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗、延迟时间(存储时间)、以及在关断时还会引发集电极拖尾电流。产品广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中。

富士IGBT模块2MBI75S-120原装现货参数资料

 产品：EconoPACK™3 IGBT模块
 封装：EconoPACK™3
 集电极-发射极电压：1200V
 连续集电极直流电流：TC = 100°C, Tvj max = 175°C 时25A。
 总功率损耗：TC = 25°C, Tvj max = 175°C时160W。
 栅极－发射极峰值电压：+/-20V
 集电极－发射极饱和电压:Tc=25℃，2.15V
 栅极阈值电压：6.4V
 栅极-发射极漏电流：100nA
 产品重量：300g
 产品资料和价格：联系咨询和索取。
1DI200K-055、1DI240A-055、1DI300M-050、1DI300MN-050、1DI300MP-050、1DI400A-050、1DI400M-050、1DI400MN-050、1DI400MP-050、1DI480A-055、1DI500A-030、1DI500A-030A、1DI600A-030、1DI30F-100、1DI50F-100、1DI75E-100、1DI100E-100、1DI100F-100、1DI150E-100、1DI150F-100、1DI200Z-100、1DI300Z-100、1DI300D-100、1DI400D-100、1DI50E-120、1DI50F-120、1DI50H-120、1DI75E-120、1DI75F-120、1DI75H-120、1DI100E-120、1DI100F-120
富士IGBT模块2MBI75S-120参数图



富士IGBT模块2MBI75S-120性能曲线图