价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI650VXA-170E-50现货参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块2MBI650VXA-170E-50针对汽车行业发行的EconoDUAL3系列模块典型代表模块，其在有限的底板尺寸实现了**高的功率密度(高达600A/1200V)。该模块具有出色的开关特性，而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的DCB，与相关的450A版本相比，其输出功率**可增加30%。FF225R17ME3是英飞凌在IGBT模块开发和制造及处理和实现特定汽车要求方面的十多年丰富经验的体现，它可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可明显增加温度周次和抗热冲击能力，而且采用了全新的可改善EMI特性的软特性二极管。

富士IGBT模块2MBI650VXA-170E-50现货参数资料
1SI50A-505、1SI50A-100、1SI10A-100、1SI100A-100、ETF81-050、ETF11-050、ET1275、ETG81-050、ETK81-050、ETK81-060、ETK81-060B、ETK85-050、ET188、ETL81-050、ETL81-050A、ETM36-030、ETN01-055、ETN31-055、ET1257、ETN81-055、ETN36-030、ETN35-030、ETN85-050、1DI15A-060、1DI30A-050、1DI30A-060、1DI30MA-050、1DI30F-050、1DI50A-060、1DI50H-055、1DI50K-055、1DI50MA-050、1DI75E-055、1DI75F-055、1DI100E-050、1DI100F-050、1DI150E-055、1DI150F-055、1DI150H-055、1DI200A-020、1DI200MA-050、1DI200E-055、1DI200F-055、1DI200H-055

产品种类：	IGBT 模块
品牌和型号	富士2MBI650VXA-170E-50
产品：	IGBT Silicon Modules
配置：	Dual
集电极—发射极**电压 VCEO：	600 V
集电极—射极饱和电压：	2.2 V
在25 C的连续集电极电流：	100 A
栅极—射极漏泄电流：	400 nA
功率耗散：	355 W
**工作温度：	+ 125 C
封装 / 箱体：	34MM
商标：	Infineon Technologies
栅极/发射极**电压：	+/- 20 V
**小工作温度：	- 40 C
安装风格：	Screw
产品报价和资料	联系我们索取和咨询
工厂包装数量：	500

富士IGBT模块2MBI650VXA-170E-50参数图


富士IGBT模块2MBI650VXA-170E-50结构图