品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块2MBI225U4N-170-50现货参数,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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富士IGBT模块2MBI225U4N-170-50现货参数资料逆导型IGBT的正面结构与传统IGBT基本相同,不同之处在于其背面结构。在制造过程中逆导型IGBT要比传统IGBT多用一块到两块掩膜板,而且背面的版图设计与正面差别较大。一方面背面版图的图形尺寸很大,另一方面图形是非对称、非重复性的,而仿真不可能在对整个器件进行仿真,也就使得对逆导型IGBT一些参数的仿真是近似性的。然而背面版图设计的优劣直接决定了器件和整体性能,尤其是对于回跳现象的消除和二极管的特性的优化至关重要。这就使逆导型IGBT背面的版图布局成为一项关键技术。
富士IGBT模块2MBI225U4N-170-50现货参数资料
产品种类: |
IGBT 模块 |
品牌和型号 |
富士2MBI225U4N-170-50 |
产品: |
IGBT Silicon Modules |
配置: |
Dual |
集电极—发射极**电压 VCEO: |
600 V |
集电极—射极饱和电压: |
2.2 V |
在25 C的连续集电极电流: |
100 A |
栅极—射极漏泄电流: |
400 nA |
功率耗散: |
355 W |
**工作温度: |
+ 125 C |
封装 / 箱体: |
34MM |
商标: |
Infineon Technologies |
栅极/发射极**电压: |
+/- 20 V |
**小工作温度: |
- 40 C |
安装风格: |
Screw |
产品报价和资料 |
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工厂包装数量: |
500 |