富士IGBT模块2MBI300U4E-120模块是为了满足诸如可再生能源系统、商用电动车辆、电梯、工业驱动装置或电源等应用不断提高的要求而开发的新型模块之一。得益于诸如超声波焊接功率端子、优化基板结构或可靠的创新PressFIT压接式管脚技术等不计其数的改进和创新，英飞凌新推出的这些模块，能够让客户设计出坚固高效、外形小巧的功率转换器。
 
富士IGBT模块2MBI300U4E-120现货参数资料
 产品：EconoPACK™3 IGBT模块
 品牌和型号：英飞凌 F12-25R12KT4G
 封装：EconoPACK™3
 集电极-发射极电压：1200V
 连续集电极直流电流：TC = 100°C, Tvj max = 175°C 时25A。
 总功率损耗：TC = 25°C, Tvj max = 175°C时160W。
 栅极－发射极峰值电压：+/-20V
 集电极－发射极饱和电压:Tc=25℃，2.15V
 栅极阈值电压：6.4V
 栅极-发射极漏电流：100nA
 产品重量：300g
 产品资料和价格：联系咨询和索取。
2MBI150U4H-120 2MBI150U4H-120 (430KB) 150 1200 Field-stop,Trench gate U
2MBI150U4H-170 2MBI150U4H-170 (433KB) 150 1700 Field-stop,Trench gate U
2MBI150VA-060-50 2MBI150VA-060-50 (381KB) 150 600 Optimization of trench gate V
2MBI150VB-120-50 2MBI150VB-120-50 (352KB) 150 1200 Optimization of trench gate V
2MBI200N-060 2MBI200N-060 (137KB) 200 600 PT-Epi,Planar-gate N
2MBI200S-120 2MBI200S-120 (497KB) 200 1200 NPT,Planar-gate S
2MBI200U2A-060-50 2MBI200U2A-060 (84KB) 200 600 Field-stop,Trench gate U
2MBI200U4B-120-50 2MBI200U4B-120 (418KB) 200 1200 Field-stop,Trench gate U
IGBT模块关断过程
  IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
   **段是按照MOS管关断的特性的
   第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长的尾部时间。
 
   除了关断时间Toff，下降时间Tf和Tf.i以外，还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off)。
   漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时间。