富士电机电子设备技术的IGBT 富士电机电子设备技术的IGBT技术从1988年开始产品化，至今一直在市场上供应。从**代到第五代IGBT产品的开发过程以及运用技术。**代至第三代的IGBT中运用了外延片，通过优化生命期控制和IGBT的细微化技术，进行了特性的改善。然后，第四代和第五代产品通过从外延片过渡为FZ（Floating Zone）晶片，实现了大幅度的特性改善。就此，IGBT的设计方针与从前相比，发生了很大的转变。 首先，运用外延片的IGBT（第三～第四代的600V型为止的系列产品，被称为“击穿型”）的基本设计思想如下所述。IGBT在导通时为了实现低通态电压化，从集电极侧注入大量的载流子，使IGBT内部充满高浓度的载流子，再加上为维持高电压而专门设置的n缓冲层，形成很薄的n-层，从而实现低通态电压。为了实现**交换，也同时采用以IGBT内充满的载流子**消失为目的的生命期控制技术（通过这些也能实现低交换损耗（Eoff））。但是，一旦运用了生命期控制技术，即使处通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率”简单扼要地概括出来。相对而言，使用FZ晶片的IGBT（第四代1200V以后的系列）采用了抑制来自集电极侧载流子的注入，并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。在前面所述的使用外延片的IGBT的设计理。

  富士IGBT模块2MBI300P-140针对汽车行业发行的EconoDUAL3系列模块典型代表模块，其在有限的底板尺寸实现了**高的功率密度(高达600A/1200V)。该模块具有出色的开关特性，而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的DCB，与相关的450A版本相比，其输出功率**可增加30%。在IGBT模块开发和制造及处理和实现特定汽车要求方面的十多年丰富经验的体现，它可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可明显增加温度周次和抗热冲击能力，而且采用了全新的可改善EMI特性的软特性二极管。

富士IGBT模块2MBI300P-140现货参数资料
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 1.7 V
在25 C的连续集电极电流： 600 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 2100 W
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： EconoDUAL-3
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
产品价格个中英文PDF资料 联系索取和咨询
工厂包装数量： 12
7D75D-050EHR 75A/500V/7U 7MBR15NE(NF)120 15A/1200V/7U
7D100D-050EHR 100A/500V/7U 7MBR15SA120 15A/1200V/7U
7D150D-050EHR 150A/500V/7U 7MBR15(25)LC-120 15A(25A)/1200V/7U
7D30A-050EJR 30A/500V/7U 7MBR25NE(NF)120 25A/1200V/7U
7D50A-050EJR 50A/500V/7U 7MBR25SA120 25A/1200V/7U
7D75A-050EJR 75A/1200V/7U 7MBR35SA(SB)120 35A/1200V/7U
7MBR50SB060 　 7MBR35SD120 35A/1200V/7U
7MBR75SB060 　 7MBR50SA(SB)120 50A/1200V/7U