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信息标签:富士IGBT模块2MBI150UH-330H现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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富士IGBT模块2MBI150UH-330H现货参数资料
发布时间:2016-07-19 21:05:23 产品编号:GY-5-91192458 分享
价格:未填
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富士IGBT模块2MBI150UH-330H采用三项桥十六单元结构的逆导型低频IGBT3模块，其性能高耐压,可大大降低导通压降。相比前代英飞凌IGBT模块FP40R12KE3G存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗、延迟时间(存储时间)、以及在关断时还会引发集电极拖尾电流。FP40R12KE3G广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中。
富士IGBT模块2MBI150UH-330H现货参数资料
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产品种类： |
IGBT 模块 |
|
品牌和型号 |
英飞凌FP40R12KE3G |
|
配置： |
Hex |
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集电极—发射极**电压 VCEO： |
1200 V |
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集电极—射极饱和电压： |
2.3 V |
|
在25 C的连续集电极电流： |
40 A |
|
栅极—射极漏泄电流： |
400 nA |
|
功率耗散： |
200 W |
|
**工作温度： |
+ 125 C |
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封装 / 箱体： |
EconoPIM3-24 |
|
商标： |
Infineon Technologies |
|
栅极/发射极**电压： |
+/- 20 V |
|
**小工作温度： |
- 40 C |
|
安装风格： |
Screw |
|
产品价格和中英文资料 |
联系外面索取和咨询 |
|
工厂包装数量： |
500 |
1MBI2400U4D-120 1MBI2400U4D-120 (542KB) 2400 1200
1MBI2400U4D-170 1MBI2400U4D-170 (505KB) 2400 1700
1MBI3600U4D-120 1MBI3600U4D-120 (540KB) 3600 1200
1MBI3600U4D-170 1MBI3600U4D-170 (506KB) 3600 1700
1MBI400V-120-50 1MBI400V-120-50 (437KB) 400 1200
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