IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
富士IGBT模块1MBI800UG-330针对汽车行业发行的EconoDUAL3系列模块典型代表模块，其在有限的底板尺寸实现了**高的功率密度(高达600A/1200V)。该模块具有出色的开关特性，而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的DCB，与相关的450A版本相比，其输出功率**可增加30%。FF225R17ME3是英飞凌在IGBT模块开发和制造及处理和实现特定汽车要求方面的十多年丰富经验的体现，它可满足商用车、工程车、农用车等可靠性要求苛刻的应用。汽车级品质是指该模块可明显增加温度周次和抗热冲击能力，而且采用了全新的可改善EMI特性的软特性二极管。

富士IGBT模块1MBI800UG-330现货参数资料
产品： IGBT Silicon Modules
品牌和型号 英飞凌FF450R12ME3
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 1.7 V
在25 C的连续集电极电流： 600 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 2100 W
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： EconoDUAL-3
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
产品价格个中英文PDF资料 联系索取和咨询
工厂包装数量： 12